IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3) (con't.)
03/18/03
Industrial and Commercial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14
15
16 17
A
I/O 19L
I/O 18L
V SS
TDO
NC
A 16L
A 12L
A 8L
BE 1L
V D D
SEM L
INT L
A4 L
A 0L
OPT L
I/O 17L
V SS
A
B
I/O 20R
V SS
I/O 18R
TDI
A 17L (4)
A 13L
A 9 L
BE 2L
CE 0L
V SS
BUSY L
A5 L
A 1L
V SS
V DD QR
I/O16L I/O 15R
B
C
V DD QL
I/O 19R
V DD QR
V DD
NC
A 14 L
A 1 0L
BE 3L
CE 1L
V SS
R/ W L
A6 L
A 2L
V DD
I/O 16R
I/O 15L
V SS
C
D
I/O 22L
V SS
I/O 21L
I/O 20L
A 15L
A 11L
A 7 L
BE 0L
V DD
OE L
NC
A 3 L
V D D
I/O 17R
V D DQ L
I/O 14L I/O 14R
D
E
I/O 23L
I/O 22R
V D DQ R I/O 21R
I/O 12L
I/O 13R
V SS
I/O 13L
E
F
V DD QL
I/O 23R
I/O 24L
V SS
V SS
I/O 12R
I/O 11L
V DD QR
F
G
I/O 26L
V SS
I/O 25L
I/O 24R
I/O 9L
V DD QL
I/O 10L I/O 11R
G
H
V DD
I/O 26R
V DD QR I/O 25R
70T651/9BF
BF-208 (5,6)
V D D
I/O 9R
V SS
I/O 10R
H
J
K
L
M
N
V DD QL
I/O 28R
I/O 29R
V DD QL
I/O 31L
V D D
V SS
I/O 28L
I/O 29L
V SS
V SS
I/O 27R
V D DQ R
I/O 30R
I/O 31R
ZZ R
V S S
I/O 27L
V SS
I/O 30L
208-Ball
fpBGA
Top View (7)
ZZ L
I/O 7R
I/O 6R
V SS
I/O 3R
V DD
V D DQL
I/O 7L
I/O 6L
V DD QL
V SS
I/O8R
V SS
I/O 5R
I/O 4R
V DD QR
V SS
I/O 8L
V DD QR
I/O 5L
J
K
L
M
N
P
I/O 32R
I/O 32L
V D DQ R I/O 3 5R
TRST
A 16R
A 12R
A 8R
BE 1R
V DD
SEM R
INT R
A 4R
I/O 2L
I/O 3L
V SS
I/O 4L
P
R
T
U
V SS
I/O 33R
V SS
I/O 33L
I/O 34L
I/O 35L
I/O 34R
V DD QL
V D D
TCK
TMS
NC
A 17R(4)
NC
A 15R
A 13R
A 14R
A 11R
A 9R
A 1 0R
A 7 R
BE 2R
BE 3R
BE 0R
CE 0 R
CE 1R
V DD
V SS
V SS
OE R
BUSY R
R/ W R
M/ S
A 5 R
A 6R
A 3R
A 1R
A 2R
A 0R
V SS
V S S
V DD
V D DQ L
I/O 0R
OPT R
I/O 1R
V SS
I/O 0L
V DD QR
I/O 2R
I/O 1L
R
T
U
5632 drw 02e
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
2 . All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. A 17 X is a NC for IDT70T659.
5. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
6. This package code is used to reference the package diagram.
7. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
5
相关PDF资料
IDT70T653MS12BCI IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA
IDT70V05L55G IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA
IDT70V06L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA
IDT70V07L35G IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA
IDT70V08S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V09L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V18L20PFI IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
IDT70V25L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA
相关代理商/技术参数
IDT70T651S15BC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S15BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S15BF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S15BF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S15DR 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S8BC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 8NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S8BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 8NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T651S8BF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 8NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)